方舟微簡化PD3.1快充設(shè)計(jì)——增強(qiáng)型MOS篇
2023-12-08 - 產(chǎn)品 方舟微推出了一系列具有特殊功能的MOSFET，可以代替?zhèn)鹘y(tǒng)多顆元件組成的供電穩(wěn)壓電路，從而簡化電源中對(duì)于控制器的供電設(shè)計(jì)，并優(yōu)化待機(jī)功耗表現(xiàn)。FTZ15N35G是一顆耐壓350V的NMOS，采用SOT-23封裝，Dialog利用其特有電特性，作為ZVS輔助開關(guān)MOSFET使用，為主MOSFET創(chuàng)造ZVS條件。其推出的30V、350V等系列增強(qiáng)型MOSFET，海外生產(chǎn)，品質(zhì)、價(jià)格、供貨更具競爭力。
ARK（方舟微）-耗盡型MOSFET：簡化IC供電、助力待機(jī)零功耗的優(yōu)選元件
2025-06-02 - 技術(shù)探討 本文為成都方舟微電子有限公司的研發(fā)經(jīng)理趙興杰在由充電頭網(wǎng)主辦的2024快充新技術(shù)研討會(huì)上，重點(diǎn)向大家介紹一種 有助于簡化快充電路方案，助力實(shí)現(xiàn)待機(jī)零功耗的特殊元件：耗盡型MOSFET，以及耗盡型MOSFET在快充領(lǐng)域的典型應(yīng)用方案。同時(shí)也會(huì)介紹方舟微非常適合用于快充電路方案的增強(qiáng)型MOSFET產(chǎn)品。
超聲換能器驅(qū)動(dòng)新選擇：方舟微FTE03R20D 200V N+P增強(qiáng)型MOSFET對(duì)管
2025-09-16 - 應(yīng)用方案 方舟微FTE03R20D是一款互補(bǔ)型、高速、高壓的N溝道和P溝道的MOSFET對(duì)管，采用先進(jìn)的垂直雙擴(kuò)散MOSFET結(jié)構(gòu)和成熟的硅柵制造工藝。這種設(shè)計(jì)使得器件既具備了雙極晶體管的功率處理能力，又繼承了MOSFET器件固有的高輸入阻抗和正溫度系數(shù)特性。該種結(jié)構(gòu)可有效避免熱失控與熱致二次擊穿風(fēng)險(xiǎn)。
方舟微FTZ15N35G：350V耐壓N溝道增強(qiáng)型MOSFET有效保護(hù)電路，廣泛應(yīng)用于電池管理系統(tǒng)
2025-04-07 - 應(yīng)用方案 在現(xiàn)代便攜式電子設(shè)備中，電池管理系統(tǒng)（BMS）至關(guān)重要，而N溝道增強(qiáng)型MOSFET常用于電池的過放電保護(hù)。ARK（方舟微）研發(fā)的FTZ15N35G，耐壓350V，SOT-23封裝。Dialog利用其特有電特性，作為ZVS輔助開關(guān)MOSFET使用，為主MOSFET創(chuàng)造ZVS條件。
新增國產(chǎn)耗盡型MOSFET，世強(qiáng)硬創(chuàng)全線代理方舟微消費(fèi)/工業(yè)類產(chǎn)品線
2022-06-13 - 公司動(dòng)態(tài) 2022年3月24日，世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺(tái)與成都方舟微電子有限公司（下稱“方舟微“）簽署合作協(xié)議，方舟微授權(quán)世強(qiáng)硬創(chuàng)平臺(tái)代理旗下耗盡型MOSFET、增強(qiáng)型MOSFET和保護(hù)器件等全線產(chǎn)品。資料顯示，方舟微（ARK）主要從事功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)，以及電源、電路保護(hù)方案設(shè)計(jì)，是國內(nèi)專注于耗盡型MOSFET的設(shè)計(jì)公司。
【產(chǎn)品】350VP溝道增強(qiáng)型MOSFET FTX30P35G，連續(xù)漏極電流為0.2A，采用SOT-89封裝
2023-02-02 - 產(chǎn)品 方舟微電子新推出FTX30P35G的P溝道增強(qiáng)型MOSFET，漏源擊穿電壓達(dá)-350V，連續(xù)漏極電流為-0.2A，采用堅(jiān)固的多晶硅柵單元結(jié)構(gòu)，專有的先進(jìn)平面技術(shù)。該器件開關(guān)速度快，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)且無鹵素，廣泛用于高效開關(guān)電源，適配器/充電器，有源PFC等。
【產(chǎn)品】國產(chǎn)N溝道增強(qiáng)型MOSFET FTS01N15G，規(guī)格為150V/450mΩ，適用于繼電器驅(qū)動(dòng)
2022-06-01 - 產(chǎn)品 FTS01N15G是方舟微旗下的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET，其漏源擊穿電壓最小值150V（VGS=0V，ID=250μA），靜態(tài)漏源通態(tài)電阻典型值450mΩ（VGS=5V，ID=1A，脈沖寬度≤380μs，占空比≤2%）。
FTE02P15G P溝道MOSFET在反向保護(hù)電路中的應(yīng)用
2025-04-03 - 設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn) 增強(qiáng)型MOSFET有兩種類型，分別是N通道或P通道，它們都非常適合作為反向電壓保護(hù)器件，本文以ARK（方舟微）的FTE02P15G為例主要講解一下基于P溝道MOSFET反向保護(hù)電路的設(shè)計(jì)。
方舟微2022年高耐壓MOSFET新品，簡化PD3.1快充設(shè)計(jì)，降低研發(fā)難度和整體物料成本
2022-05-18 - 原廠動(dòng)態(tài) 為了應(yīng)對(duì)PD3.1升級(jí)輸出電壓后，寬電壓輸出導(dǎo)致開關(guān)電源初級(jí)電壓供電范圍變動(dòng)較大的問題，方舟微推出了一系列具有特殊功能的MOSFET，可以代替?zhèn)鹘y(tǒng)多顆元件組成的供電穩(wěn)壓電路，從而簡化電源中對(duì)于控制器的供電設(shè)計(jì)，并優(yōu)化待機(jī)功耗表現(xiàn)。在缺貨的大背景下，拓展現(xiàn)有芯片的供電范圍，保證產(chǎn)品出貨。
【產(chǎn)品】方舟微 PDFN3*3系列 MOSFET
系列型號(hào)： FTF30P35D; FTF15N35D; AKF30N5P0SX
【產(chǎn)品】方舟微 SOT-223系列 MOSFET
系列型號(hào)： FTS01N15G
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服務(wù)市場
可定制內(nèi)充多極外充多極，平面多極和內(nèi)外螺旋型各類充磁產(chǎn)品，多級(jí)充磁最多可做256極，通過環(huán)氧樹脂加入稀土，模具壓制支持多尺寸定制，
最小起訂量：1 提交需求>
現(xiàn)貨市場
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